中国芯片制造的突破点在哪里？长江蓄水扬光突破

在“ 2020北京国际微电子与集成电路世界学术研讨会国际学术研讨会”上，扬子存储技术有限公司首席执行官杨新宁就“中国芯片制造突破新路径”发表主旨演讲。

新情况”。

在寻求三维集成方面的突破时，他指出集成电路从二维到三维的发展是必然的趋势。

这可能不是唯一的路径，但确实是一条需要深入探索的路径。

2017年底，YMTC正式发布了国内首款32层3D NAND闪存。

在2018年8月，它推出了自己独特的Xtacking架构。

据报道，在传统的3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20-30％，这降低了芯片的存储密度。

通过将3D NAND技术堆叠到128层甚至更高的层数，外围电路可能占芯片总面积的50％以上。

Xtacking技术将外围电路放在存储单元上，以实现比传统3D NAND更高的存储密度。

综上所述，Xtacking技术具有四个优点：首先，它更快，性能更好。

第二，过程更加健壮。

第三，由于密度高，成本是可控的。

第四，它具有更高的灵活性。

21icist注意到，通过创新的Xtacking技术，YMTC加快了新产品的开发。

2020年4月，YMTC首次发布了128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070。

据杨闪宁介绍，长江蓄水技术目前处于世界一流水平。

下一步是解决产能问题。

值得注意的是，长江储藏已经完成了三年的国际制造商的六年历程，并且已经过时了。

中国存储制造业的突破之路。